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  • HVUα-2000V離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-2000V離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF)
    離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF) 原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓 , 經(jīng)過長時(shí)間的測試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生 , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:1181    型號:HVUα-2000V
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  • ECM-500J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    ECM-500J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)絕緣電阻值測試,在高溫高濕條件下,對電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評估。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:1456    型號:ECM-500
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  • HVUα-1000VJ-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置
    HVUα-1000VJ-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置 絕緣可靠性評估,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓 , 經(jīng)過長時(shí)間的測試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生 , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:1339    型號:HVUα-1000V
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  • ECM-100日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置CAF測試
    ECM-100日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置CAF測試
    日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置CAF測試是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ), 經(jīng)過長時(shí)間的測試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ), 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-05-14    訪問量:4420    型號:ECM-100
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  • ECM-100/100-100J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    ECM-100/100-100J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS代理離子遷移試驗(yàn)裝置 CAF測試,J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)ECM-100是可以單獨(dú)試驗(yàn)的ALL-IN-ONE檢測系統(tǒng),并且重要的試驗(yàn)數(shù)據(jù)被保存到CF存儲(chǔ)卡。作為系統(tǒng)構(gòu)成我們準(zhǔn)備了40CH/100CH型,可以根據(jù)您的預(yù)算、設(shè)置空間來進(jìn)行選擇。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:1534    型號:ECM-100/100-100
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  • ECM-100日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    ECM-100日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ), 經(jīng)過長時(shí)間的測試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ), 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:3033    型號:ECM-100
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